容量：1K x 4 位
　　组织方式：4096 位（1K x 4）
　　电源电压：5V 单电源供电
　　访问时间（tRC）：55ns / 70ns / 100ns（根据后缀不同）
　　工作温度范围：工业级 -40°C 至 +85°C
　　封装类型：24 引脚 PDIP 或 SOIC
　　输入/输出电压兼容性：TTL 兼容
　　功耗：典型工作电流 160mA（最大 250mA）
　　待机电流：10mA 典型值

41010I/SN SRAM 芯片采用高性能 CMOS 工艺制造，具备高速访问时间和低功耗的优点，非常适合用于需要频繁读写操作的场合。该芯片的访问时间有多种版本，分别为 55ns、70ns 和 100ns，适用于不同性能需求的设计。其 TTL 兼容的输入/输出接口简化了与各种数字系统的连接。41010I/SN 支持标准的异步地址访问方式，具备独立的片选（CS）和写使能（WE）控制信号，可灵活控制数据的读写操作。
　　此外，该芯片采用 24 引脚 PDIP 或 SOIC 封装，适合工业级工作环境，可在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内稳定运行。其待机模式下功耗极低，仅需 10mA 典型电流，有助于降低系统整体功耗，提高能效。在电源电压为 5V 的条件下，能够确保稳定可靠的数据存储与读取操作，适用于多种嵌入式系统和外围设备存储扩展应用。

41010I/SN 常被用于工业控制设备、通信模块、测试仪器、嵌入式系统和小型计算机外设中，作为高速缓存或临时数据存储单元。由于其高速存取特性，该芯片也适合用于图像处理、数据缓冲、协议转换等对实时性要求较高的场景。

IDT71010SA55PFG, CY6204VLL, HM6116, IS61LV256AL