408A26LI 时间：2025/12/28 17:37:00 阅读：16

408A26LI 是一款功率MOSFET晶体管，通常用于高频率开关应用和功率放大器设计。它属于N沟道增强型MOSFET，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于电源转换、DC-DC变换器、电机控制和负载开关等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：16A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.26Ω @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C

特性

408A26LI MOSFET具有出色的热稳定性和高耐压能力，能够在高压环境中稳定运行。其低导通电阻特性有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有快速开关能力，适合用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。封装形式为TO-247，便于安装和散热。该MOSFET具备良好的抗静电能力和过热保护特性，增强了器件在严苛环境下的可靠性。
　　在制造工艺方面，408A26LI采用先进的平面工艺和高密度沟槽结构，优化了电流传输能力，同时减少了寄生电容，提高了开关速度。其封装设计考虑了散热需求，确保长时间工作时的稳定性。该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在10V至15V之间工作，便于与不同类型的驱动电路匹配。
　　此外，408A26LI还具备较高的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，这使得它在电机控制、电源管理以及工业自动化系统中表现出色。同时，其较小的封装体积也有利于节省PCB空间，提高整机设计的紧凑性。