类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：75A
　　导通电阻（Rds(on)）：5.3mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Ptot）：140W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220AB
　　引脚数：3

4042BDM MOSFET具有多个关键性能优势，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为5.3毫欧，这大大降低了在高电流应用中的功率损耗，提高了系统效率。
　　其次，该器件的漏源电压额定值为30V，可承受较高的电压应力，适用于多种中低压功率转换电路。其高栅源电压耐受能力（±20V）确保了在各种驱动条件下器件的稳定性和可靠性。
　　此外，4042BDM采用了先进的沟槽式制造工艺，优化了导通损耗与开关损耗之间的平衡，使其在高频开关应用中表现优异。该器件的热阻较低，能够在高功率工作条件下保持良好的散热性能，延长使用寿命。
　　封装方面，4042BDM使用标准的TO-220AB封装形式，便于安装在散热片上，并具有良好的机械稳定性和电气连接性能。这种封装也便于手工焊接和自动化装配，适用于多种工业级应用环境。

4042BDM因其高性能和高可靠性，被广泛应用于多个领域。在电源管理系统中，它常用于同步整流、负载开关和DC-DC降压/升压转换器中，以实现高效能能量转换。
　　在电机控制方面，该MOSFET可作为H桥结构中的开关元件，用于控制直流电机或步进电机的转向和速度，其低导通电阻有助于减少发热，提高系统稳定性。
　　另外，4042BDM也适用于电池管理系统（BMS）、电源分配系统、LED驱动电路、电源适配器以及各种工业自动化控制设备中。
　　由于其高可靠性和良好的热性能，该器件也常用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统、电动助力转向系统（EPS）等应用中。

IRF3710, FDP3710, STP75NF75, FQP30N06L