时间：2025/8/28 19:17:01
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3T24N是一款常用的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛用于电源管理和开关应用中。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻、高电流容量和良好的热稳定性。它在DC-DC转换器、电机控制、逆变器以及各种功率开关电路中表现出色。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：24V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：120A
导通电阻（Rds(on)）：约4mΩ（典型值）
最大功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
3T24N MOSFET具备多项优良特性，适合高要求的功率应用。首先，其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件支持大电流通过，适用于高功率密度设计。此外，3T24N具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。TO-220封装便于安装散热片，进一步提升散热性能。该MOSFET还具有快速开关特性，适用于高频开关电源设计。最后，其栅极驱动电压范围宽，支持与多种驱动电路兼容。
在可靠性方面，3T24N具有较强的抗过载和短路能力，能够在复杂工况下保持稳定运行。该器件符合RoHS环保标准，适合现代电子设备的绿色制造需求。
3T24N常用于各种电源管理和功率控制应用中。其中包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统、逆变器、UPS不间断电源、工业自动化设备以及电动车控制器等。此外，该MOSFET也可用于负载开关、电源分配系统和高功率LED驱动电路。
IRF1404、AO4404、Si4404DY、FDMS86101、NTMFS4C06N
