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3SMC10CATR13 发布时间 时间:2025/12/26 22:59:49 查看 阅读:21

3SMC10CATR13是一款由ON Semiconductor生产的表面贴装硅瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),采用SMC(23-13)封装,专为保护敏感电子设备免受瞬态高能量脉冲损害而设计。该器件能够在短时间内吸收大功率的浪涌电流,同时将电压钳位在安全水平,从而有效防止因静电放电(ESD)、雷击感应、电感负载切换或其他突发性过压事件导致的电路损坏。3SMC10CATR13属于双向TVS二极管,适用于交流或双极性信号线路的保护。其标称击穿电压为10V,最大反向工作电压为8.5V,在实际应用中可为低压电路提供可靠防护。该产品广泛应用于通信接口、电源输入端口、消费类电子产品以及工业控制系统等需要高可靠性保护方案的场合。器件符合RoHS环保标准,并具备优良的热稳定性和长期可靠性,适合自动化贴片生产流程。

参数

类型:双向TVS二极管
  封装:SMC(DO-214AB)
  最大反向工作电压(VRWM):8.5 V
  击穿电压(VBR):最小9.5 V,最大10.5 V(测试电流I T = 1.0 mA)
  钳位电压(VC):16.0 V(在IPP = 6.4 A条件下)
  峰值脉冲功率(PPPM):3000 W(10/1000 μs波形)
  峰值脉冲电流(IPP):18.75 A(最大值)
  漏电流(IR):小于5 μA(在VRWM下)
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  引线焊接温度:最高260°C(持续10秒)
  极性:双向
  安装方式:表面贴装(SMD)

特性

3SMC10CATR13作为一款高性能瞬态抑制二极管,具备卓越的瞬态过压保护能力。其核心优势在于高达3000W的峰值脉冲功率承受能力,能够在极短时间内吸收并耗散来自外部环境的高能量瞬变干扰,如静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和雷击引起的浪涌电压。由于其双向结构设计,该器件特别适用于交流信号路径或可能经历正负极性电压波动的电路中,例如电话线路、RS-485通信总线、音频接口等场景。其快速响应时间(通常小于1纳秒)确保在瞬态电压上升初期即可迅速导通,将电压钳制在安全范围内,避免后级半导体元件(如IC、MOSFET、传感器等)遭受过压损伤。
  该TVS二极管采用SMC封装(也称DO-214AB),具有较小的占板面积和良好的散热性能,适合现代高密度PCB布局需求。SMC封装还支持自动贴片工艺,提升了大规模生产的效率与一致性。此外,3SMC10CATR13的低动态电阻特性使其在导通状态下能维持较低的钳位电压,进一步增强了对下游电路的保护效果。其漏电流极低(<5μA),在正常工作状态下几乎不消耗系统功耗,也不会对信号完整性造成影响,因此非常适合用于电池供电设备或低功耗系统中。
  该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,可在极端环境条件下稳定运行,适用于工业、汽车及户外电子设备。同时,产品通过AEC-Q101车规级认证的可能性较高(需查证具体批次规格),表明其具备较高的可靠性与耐久性。制造商ON Semiconductor提供了完整的质量控制体系和长期供货保障,使3SMC10CATR13成为许多设计工程师在系统级电磁兼容(EMC)防护中的首选器件之一。

应用

3SMC10CATR13广泛应用于各类需要高能瞬态保护的电子系统中。典型应用场景包括工业控制系统的电源输入端口和信号接口,用于抵御来自电网波动或电机启停产生的电感反冲电压;在通信设备中,它常被部署于以太网接口、RS-232/RS-485差分线路、USB数据线等位置,防范静电放电和远端雷击感应脉冲;消费类电子产品如智能家居设备、机顶盒、安防摄像头等也常使用该器件来提升整机的EMC抗扰度等级。
  在汽车电子领域,尽管该型号并非专为车载主系统设计,但仍可用于车身附件模块(如车窗控制、门锁模块、照明控制单元)中的电源轨保护,尤其是在非主驱逆变器且对成本敏感的应用中表现出良好性价比。此外,在可再生能源系统(如太阳能逆变器)和智能电表中,3SMC10CATR13可用于直流侧或通信接口的次级保护,配合压敏电阻构成多级防护架构,实现更全面的系统可靠性保障。其表面贴装特性也使其适用于回流焊生产工艺,满足现代电子制造自动化的需求。

替代型号

SMCJ10CA

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