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3SK85 发布时间 时间:2025/9/7 9:00:19 查看 阅读:15

3SK85 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于高电压和高功率电子设备中。这款MOSFET以其高耐压性和大电流承载能力而闻名,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化系统等应用领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):900V
  最大栅源电压(VGS):±30V
  最大漏极电流(ID):15A
  导通电阻(RDS(on)):0.55Ω(最大)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220

特性

3SK85 MOSFET具有多项关键特性,使其在高功率应用中表现卓越。
  首先,它具备高耐压特性,最大漏源电压(VDS)可达到900V,这意味着它可以在高压环境中稳定运行,适用于开关电源和逆变器等设备。
  其次,3SK85的最大漏极电流为15A,使其能够处理较大的电流负载,适用于高功率电机控制和电源转换应用。
  该器件的导通电阻(RDS(on))较低,最大为0.55Ω,有助于减少导通损耗,提高整体系统的效率。
  此外,3SK85采用了TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能,适合高功率密度设计,并且便于安装在散热片上以增强散热效果。
  其栅源电压范围为±30V,提供了良好的栅极控制稳定性,并能承受一定程度的电压波动,增强了器件的可靠性。
  最后,该MOSFET的工作温度范围较宽,从-55°C到+150°C,确保了其在各种环境条件下的稳定运行。

应用

3SK85 MOSFET主要应用于需要高电压和大电流处理能力的电子系统中。它常见于开关电源(SMPS)中作为主开关器件,用于高效地转换和调节电力。此外,该器件也广泛用于DC-DC转换器,特别是在需要高输入电压的应用中,如工业电源和电信设备。3SK85还适用于电机驱动和控制电路,尤其在需要高速开关和高可靠性的工业自动化系统中。由于其高耐压和大电流能力,它也被用于逆变器、不间断电源(UPS)系统以及各种高功率LED照明驱动电路。

替代型号

2SK1358, IRF840, 2SK2141

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