类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω（典型值）
　　最大功耗（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V
　　漏极-源极击穿电压（BVDS）：500V
　　封装形式：TO-220、TO-252

3SK82具有多项优良的电气特性和物理特性，适用于高要求的功率应用。首先，其最大漏源电压达到500V，能够承受较高的电压应力，适合用于高压开关电路。其次，该晶体管的最大漏极电流为15A，具备较强的电流承载能力，可用于中高功率放大器和DC-DC转换器。
　　该器件的导通电阻较低，典型值为0.45Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，3SK82的热阻较低，能够在较高功率下保持良好的热稳定性，从而延长器件的使用寿命。
　　3SK82的栅极阈值电压在2V到4V之间，适用于多种驱动电路设计，尤其是与标准CMOS或TTL逻辑电路配合使用时表现出良好的兼容性。其快速开关特性也使其在高频开关应用中表现出色，例如在开关电源（SMPS）或逆变器电路中。
　　该晶体管的工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，适用于严苛的工业环境。同时，其封装形式如TO-220和TO-252便于散热，也便于安装在PCB上，适应不同电路设计需求。

3SK82常用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、直流电机控制、逆变器、充电器、LED驱动电路以及工业自动化设备中的功率开关模块。此外，它也适用于需要高频开关和高效能转换的电源管理系统。

IRF840, FDPF840, 2SK2644