3SK81 时间：2025/9/7 17:22:58 阅读：14

3SK81是一种场效应晶体管（FET），常用于高精度、低噪声的电子信号放大和控制应用。作为一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），它在模拟电路设计中具有广泛的应用，尤其适用于前置放大器和高频信号处理领域。该晶体管具有良好的线性特性和低失真性能，使其成为音频放大和精密测量设备中的理想选择。

参数

类型：N沟道JFET
　　漏源电压（Vds）：最大30V
　　栅源电压（Vgs）：最大-25V
　　漏极电流（Id）：最大10mA
　　输入电容（Ciss）：约5pF
　　跨导（Gm）：典型值2500μS
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-92或类似小功率封装

特性

3SK81的核心特性在于其出色的低噪声性能和高输入阻抗。由于其栅极电流极低，JFET器件的输入阻抗非常高，通常可以达到数百兆欧姆甚至更高，这使得它非常适合用于高阻抗信号源的缓冲和放大。此外，3SK81的漏极和源极之间的电流由栅极电压控制，表现出良好的电压控制特性。
　　该器件具有优良的温度稳定性和低失真特性，在音频放大应用中可以提供清晰、自然的声音表现。同时，其高频响应能力也使其在射频和模拟信号处理领域中具有竞争力。3SK81的设计使其在小信号放大时表现出色，特别是在需要高保真度的音频设备中，例如麦克风前置放大器、高保真音响系统和测试仪器。

应用

3SK81主要应用于需要低噪声、高输入阻抗和良好线性度的模拟电路中。典型的应用包括音频前置放大器、麦克风放大器、传感器接口电路、信号发生器以及测试与测量设备。此外，由于其良好的温度稳定性和可靠性，3SK81也可用于工业控制电路、医疗设备和精密仪器中。在一些高频应用中，如射频信号放大和混频电路，3SK81同样表现出色，是许多工程师的首选晶体管之一。