时间：2025/9/7 5:10:18
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3SK317ZR-TL 是一款由 Renesas Electronics 生产的 P 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高边开关、电源管理和负载开关等应用。该器件采用小型 TSMT6 封装，具有良好的热性能和电性能，适用于需要高效、紧凑设计的电子设备。
类型：P 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：-20V
最大栅源电压（Vgs）：±12V
最大连续漏极电流（Id）：-4.7A
导通电阻（Rds(on)）：28mΩ（典型值）@ Vgs = -4.5V
功率耗散：1.0W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装：TSMT6
3SK317ZR-TL 具有低导通电阻的特性，这使得它在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。其 P 沟道设计使其适用于高边开关应用，无需额外的电荷泵电路，简化了电路设计。
此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（-12V 至 0V），使其能够在多种电源条件下稳定工作。其封装形式 TSMT6 提供了良好的散热性能，确保器件在高电流工作时仍能保持较低的温度。
3SK317ZR-TL 广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电池供电设备、工业控制系统和汽车电子系统。在电源管理应用中，该器件可用于高边开关以控制电源的通断，提高系统效率并减少热量产生。
Si4435BDY-T1-GE3, FDMS86101, AO4406A
