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3SK295ZQTL 发布时间 时间:2025/9/7 7:34:09 查看 阅读:3

3SK295ZQTL 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高频开关应用和电源管理系统。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力,适用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统和各种功率电子设备。3SK295ZQTL 采用小型化的SOP(Small Outline Package)封装,适合在空间受限的应用中使用,同时具备良好的热性能和电气性能。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):4.0A
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大栅源电压(VGS):20V
  导通电阻(RDS(on)):最大55mΩ @ VGS=10V
  导通电阻(RDS(on)):最大75mΩ @ VGS=4.5V
  功率耗散(PD):2.5W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:SOP-8

特性

3SK295ZQTL MOSFET采用了先进的沟槽式结构技术,提供了极低的导通电阻,从而减少了导通状态下的功率损耗,提高了系统效率。
  其低栅极电荷(Qg)特性使其非常适合用于高频开关应用,如DC-DC转换器和同步整流器,有助于提高开关速度并降低开关损耗。
  该器件的SOP-8封装不仅节省空间,而且具有良好的散热性能,确保在高负载条件下仍能稳定工作。
  此外,3SK295ZQTL具有较高的热稳定性,能够在较高的环境温度下运行,适合工业级和汽车电子应用。
  由于其低阈值电压(VGS(th))和快速响应特性,该MOSFET在低电压控制电路中表现出色,适用于电池供电设备和便携式电子产品。

应用

3SK295ZQTL广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备中,例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、负载开关、电机驱动控制电路以及便携式电子设备中的电源管理模块。
  它也常用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关,以及LED照明驱动电路中的高效开关元件。
  此外,该MOSFET还适用于工业自动化设备、智能家电和汽车电子系统中的功率控制部分。

替代型号

Si2302DS, 2SK3019, AO3400, IRF7404, BSS138K

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