3SK295ZQTL 时间：2025/9/7 7:34:09 阅读：30

3SK295ZQTL 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频开关应用和电源管理系统。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统和各种功率电子设备。3SK295ZQTL 采用小型化的SOP（Small Outline Package）封装，适合在空间受限的应用中使用，同时具备良好的热性能和电气性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4.0A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大55mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大75mΩ @ VGS=4.5V
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8

特性

3SK295ZQTL MOSFET采用了先进的沟槽式结构技术，提供了极低的导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。
　　其低栅极电荷（Qg）特性使其非常适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器，有助于提高开关速度并降低开关损耗。
　　该器件的SOP-8封装不仅节省空间，而且具有良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能稳定工作。
　　此外，3SK295ZQTL具有较高的热稳定性，能够在较高的环境温度下运行，适合工业级和汽车电子应用。
　　由于其低阈值电压（VGS(th)）和快速响应特性，该MOSFET在低电压控制电路中表现出色，适用于电池供电设备和便携式电子产品。

应用

3SK295ZQTL广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备中，例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、负载开关、电机驱动控制电路以及便携式电子设备中的电源管理模块。
　　它也常用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，以及LED照明驱动电路中的高效开关元件。
　　此外，该MOSFET还适用于工业自动化设备、智能家电和汽车电子系统中的功率控制部分。