3SK238XW 时间：2025/9/6 23:28:31 阅读：14

3SK238XW 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，适用于高频率开关应用。该MOSFET具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和电池供电设备等场合。其封装形式为SOT-223，体积小巧，便于在紧凑的PCB布局中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：100mA（最大值）
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：300V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约15Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-223

特性

3SK238XW MOSFET具备低导通电阻特性，有助于降低功率损耗并提高系统效率。其高击穿电压（300V）使其适用于高电压应用，如电源适配器、LED驱动器和小型逆变器。该器件具有良好的热稳定性和可靠性，可在较高环境温度下稳定工作。此外，SOT-223封装提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能维持较低的温度上升。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持灵活的控制方式，适用于多种开关电源拓扑结构。
　　该器件还具备快速开关能力，有助于提高系统的响应速度并减少开关损耗。其低漏电流特性使其在待机或低功耗模式下能够有效减少能量消耗，提高整体能效。3SK238XW还具备良好的抗静电能力，增强了器件在复杂电磁环境下的稳定性。

应用

3SK238XW广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、LED照明驱动器、便携式电子设备电源管理电路、电池充电器以及小型逆变器等场景。由于其具备较高的击穿电压和良好的热性能，该器件特别适用于需要高可靠性和紧凑封装的中低功率应用。此外，它也可用于信号切换和逻辑电平控制电路中，提供高效的电子开关功能。