时间：2025/9/7 6:46:59
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3SK235XY-TL 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高性能的电子设备中。这款MOSFET设计用于在高频率和高电流条件下提供优异的性能，同时保持较低的导通电阻。其封装形式为SOT-223，适合表面贴装，广泛应用于DC-DC转换器、电源管理和负载开关等电路设计。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：12V
连续漏极电流（ID）：6A
导通电阻（RDS(ON)）：30mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-223
3SK235XY-TL MOSFET的主要特性包括低导通电阻、高电流处理能力和卓越的热稳定性。其低导通电阻（RDS(ON)）显著降低了导通损耗，从而提高了系统效率。该器件在高温环境下仍能保持稳定运行，适合用于需要高可靠性的应用。此外，3SK235XY-TL采用SOT-223封装，体积小巧，便于在高密度电路板上安装，同时具备良好的散热性能。
此MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持10V及以下的驱动电压，适应多种驱动电路设计需求。它还具备快速开关特性，降低了开关损耗，适合高频应用。此外，3SK235XY-TL通过优化设计，确保了在不同负载条件下的稳定性和一致性，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。
3SK235XY-TL MOSFET主要应用于DC-DC转换器、同步整流器、电池供电设备和负载开关等场景。在DC-DC转换器中，该器件能够实现高效率的能量转换，适用于笔记本电脑、移动电源和其他便携式电子设备的电源管理系统。此外，其高电流处理能力和低导通电阻特性使其成为高性能电源模块和负载开关的理想选择。在工业控制系统中，3SK235XY-TL也常用于电机驱动和电源调节电路，以提高系统效率和稳定性。其紧凑的SOT-223封装也使其适用于空间受限的电子设计。
Si2302DS, AO3400A, FDN340P
