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3SK200-Q 发布时间 时间:2025/6/21 20:25:59 查看 阅读:4

3SK200-Q 是一种大功率晶体管,属于东芝(Toshiba)生产的 3SK 系列。该晶体管设计用于高电压和高电流应用场合,广泛应用于开关电源、电机驱动以及工业控制领域。这种晶体管具有良好的耐压性能和低饱和压降,适用于需要高效能和可靠性的电路中。
  该型号基于双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT)技术制造,其结构确保了在高频和高压环境下的稳定运行。

参数

集电极-发射极击穿电压:1400V
  集电极最大电流:8A
  功率耗散:250W
  集电极-发射极饱和压降:3V
  存储温度范围:-55℃ 至 +150℃
  工作结温:-55℃ 至 +150℃
  增益(hFE):10至40

特性

3SK200-Q 拥有较高的击穿电压和较低的饱和压降,这使得它能够在高压条件下实现更高的效率和更低的功耗。
  此外,该器件的热稳定性强,可以在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能输出。
  其封装形式适合表面贴装或插件式安装,便于集成到各种工业设备中。由于采用了先进的半导体工艺,3SK200-Q 在高频工作时仍能保持较低的开关损耗。
  该晶体管还具备过流保护功能,在异常情况下能够自动关断以避免永久损坏,从而提升了系统的整体可靠性。

应用

3SK200-Q 广泛应用于电力电子领域,包括但不限于以下场景:
  - 开关电源中的功率开关元件
  - 工业变频器和伺服驱动中的功率级组件
  - 高压直流转换器的核心元件
  - 大功率电机启动和调速控制
  - 各种工业自动化控制设备中的开关和调节部件

替代型号

3SK201, 3SK202, 2SD1767

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