3SK200-Q 是一种大功率晶体管,属于东芝(Toshiba)生产的 3SK 系列。该晶体管设计用于高电压和高电流应用场合,广泛应用于开关电源、电机驱动以及工业控制领域。这种晶体管具有良好的耐压性能和低饱和压降,适用于需要高效能和可靠性的电路中。
该型号基于双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT)技术制造,其结构确保了在高频和高压环境下的稳定运行。
集电极-发射极击穿电压:1400V
集电极最大电流:8A
功率耗散:250W
集电极-发射极饱和压降:3V
存储温度范围:-55℃ 至 +150℃
工作结温:-55℃ 至 +150℃
增益(hFE):10至40
3SK200-Q 拥有较高的击穿电压和较低的饱和压降,这使得它能够在高压条件下实现更高的效率和更低的功耗。
此外,该器件的热稳定性强,可以在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能输出。
其封装形式适合表面贴装或插件式安装,便于集成到各种工业设备中。由于采用了先进的半导体工艺,3SK200-Q 在高频工作时仍能保持较低的开关损耗。
该晶体管还具备过流保护功能,在异常情况下能够自动关断以避免永久损坏,从而提升了系统的整体可靠性。
3SK200-Q 广泛应用于电力电子领域,包括但不限于以下场景:
- 开关电源中的功率开关元件
- 工业变频器和伺服驱动中的功率级组件
- 高压直流转换器的核心元件
- 大功率电机启动和调速控制
- 各种工业自动化控制设备中的开关和调节部件
3SK201, 3SK202, 2SD1767