类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：5A
　　脉冲漏极电流（Idm）：20A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大2.2Ω
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220AB

3SK196XI的主要特性包括其高耐压能力，能够承受高达900V的漏源电压，使其适用于高压开关应用。该MOSFET的低导通电阻（Rds(on)）在5A工作电流下可保持较低的功率损耗，从而提高整体效率。
　　此外，3SK196XI具有良好的热稳定性，TO-220AB封装提供了良好的散热性能，适用于高功率密度电路设计。该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。
　　该MOSFET还具备较高的栅极击穿电压（±30V），在复杂电磁环境中能提供更好的稳定性和抗干扰能力。其广泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）确保在极端环境下的可靠运行，适用于工业级和消费类电子产品。

3SK196XI主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、LED驱动器以及家用电器中的功率控制电路。由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件非常适合用于需要高效率和高稳定性的电源管理系统。
　　此外，3SK196XI也可用于音频放大器中的功率输出级，提供清晰的声音输出和良好的热管理性能。在工业自动化系统中，该MOSFET常用于控制继电器、电磁阀和电机的驱动电路中。
　　由于其耐用性和可靠性，3SK196XI也广泛应用于光伏逆变器、不间断电源（UPS）和电子负载等新能源和电源测试设备中。

3SK211, 2SK213, 2SK1530