3SK195是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。该器件由三菱电机(Mitsubishi Electric)制造,以其低导通电阻和高效率著称。其设计优化了高频开关应用中的性能,同时具备出色的热稳定性和可靠性。
3SK195在各类工业电子设备中被广泛采用,适用于需要高效能和高可靠性的场景。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
最大连续漏极电流:20A
导通电阻:18mΩ
总功耗:140W
结温范围:-55℃至+150℃
3SK195具有以下关键特性:
1. 低导通电阻(Rds(on)),能够在高频开关条件下减少功率损耗。
2. 高电流承载能力,支持高达20A的连续漏极电流。
3. 良好的热稳定性,适合长时间运行的工业环境。
4. 快速开关速度,适合高频应用。
5. 提供卓越的抗雪崩能力和鲁棒性,增强了器件的耐用性。
该器件适用于多种应用领域:
1. 开关电源(SMPS)设计。
2. DC-DC转换器,特别是隔离式转换器。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 各类电力电子系统,如逆变器和UPS电源。
IRFZ44N
STP20NF06
FDP17N6