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3SK195 发布时间 时间:2025/6/12 11:45:57 查看 阅读:10

3SK195是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。该器件由三菱电机(Mitsubishi Electric)制造,以其低导通电阻和高效率著称。其设计优化了高频开关应用中的性能,同时具备出色的热稳定性和可靠性。
  3SK195在各类工业电子设备中被广泛采用,适用于需要高效能和高可靠性的场景。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  最大连续漏极电流:20A
  导通电阻:18mΩ
  总功耗:140W
  结温范围:-55℃至+150℃

特性

3SK195具有以下关键特性:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),能够在高频开关条件下减少功率损耗。
  2. 高电流承载能力,支持高达20A的连续漏极电流。
  3. 良好的热稳定性,适合长时间运行的工业环境。
  4. 快速开关速度,适合高频应用。
  5. 提供卓越的抗雪崩能力和鲁棒性,增强了器件的耐用性。

应用

该器件适用于多种应用领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计。
  2. DC-DC转换器,特别是隔离式转换器。
  3. 电机驱动和控制电路。
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. 各类电力电子系统,如逆变器和UPS电源。

替代型号

IRFZ44N
  STP20NF06
  FDP17N6

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