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3SK192-P 发布时间 时间:2025/6/9 19:06:57 查看 阅读:25

3SK192-P是一种N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于高频开关电源、逆变器和电机驱动等场景。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  其封装形式为TO-247,便于散热管理,适合在高功率密度应用中使用。此外,该型号经过优化设计,适用于要求严格的工业和消费类电子领域。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:25A
  导通电阻:8mΩ
  栅极电荷:30nC
  开关时间:ton=40ns,toff=20ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

3SK192-P具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗。
  2. 快速开关能力,适用于高频应用场景。
  3. 高雪崩能量耐受能力,确保在异常条件下仍能可靠运行。
  4. 热稳定性强,能够在较宽温度范围内保持性能一致。
  5. 封装形式坚固耐用,易于集成到复杂电路中。

应用

该元器件通常被用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. 逆变器和不间断电源(UPS)系统。
  4. 各种工业自动化设备中的功率转换模块。
  5. 高效DC-DC转换器的设计与实现。

替代型号

IRFZ44N
  STP30NF06
  FDP18N06

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