3SK191NI-G 时间：2025/9/7 16:39:10 阅读：19

3SK191NI-G是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，常用于高频率开关和功率转换应用。该器件设计用于高效能、低损耗操作，适用于如电源供应器、DC-DC转换器、马达控制器以及电池充电系统等多种电子设备。作为一款MOSFET，它具有较高的输入阻抗，并且在开关过程中具有较低的导通电阻，从而减少了功率损耗。该器件采用SIP（单列直插式封装），具有良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道
　　漏极-源极电压(Vds)：500V
　　连续漏极电流(Id)：8A
　　导通电阻(Rds(on))：0.45Ω
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
　　最大功耗(Pd)：50W
　　封装类型：SIP7
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

特性

3SK191NI-G具备多项优良特性，使其在功率电子应用中表现优异。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET具有较高的耐压能力（Vds=500V），适用于高电压环境下的稳定工作。此外，其较大的连续漏极电流（8A）允许其在较高负载条件下运行，适用于多种功率调节电路。
　　该器件的栅极阈值电压范围为2V至4V，使得其在不同的控制电路中具有良好的兼容性。同时，50W的最大功耗和良好的散热性能确保了其在高温环境下仍能保持稳定运行。封装形式采用SIP7，便于安装和散热管理，适用于紧凑型电子设备设计。
　　3SK191NI-G还具备快速开关特性，能够支持高频率工作模式，从而减小外围元件的体积，提高整体系统的响应速度。此外，其热稳定性良好，能够在长时间运行中保持性能稳定，延长设备的使用寿命。