3SK166A 时间：2025/8/18 13:39:58 阅读：10

3SK166A 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的应用场景，如开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等。这款MOSFET采用TO-220封装，具备良好的热稳定性和导通性能。3SK166A 设计用于在高电压条件下工作，具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，使其在功率电子设备中表现出色。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：15A
　　最大漏-源电压（Vds）：200V
　　最大栅-源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω（典型值）
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

3SK166A MOSFET具有多个关键特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（200V Vds）允许它在高电压环境下稳定工作，适用于多种电源转换系统。其次，该器件的导通电阻较低（0.15Ω），这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该MOSFET的最大漏极电流为15A，能够支持较高功率的负载，适用于电机驱动、逆变器和DC-DC转换器等应用。
　　3SK166A 采用TO-220封装，这种封装形式具备良好的散热性能，有助于提高器件在高温环境下的稳定性。同时，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±30V），可兼容多种控制电路设计，提高系统的灵活性。其功率耗散为50W，表明该器件具备较强的热管理能力，在持续工作条件下仍能保持良好的性能。
　　在可靠性方面，3SK166A 具有较高的抗冲击能力和稳定性，适合工业级应用。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种恶劣环境。这些特性使3SK166A成为一款适用于多种功率电子系统的高性能MOSFET。

应用

3SK166A MOSFET广泛应用于各种功率电子设备中，主要包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、负载开关和电池管理系统等。在开关电源中，该MOSFET可用于高侧或低侧开关，实现高效的能量转换。在DC-DC转换器中，其低导通电阻和高耐压特性使其成为降压或升压转换器的理想选择。在电机控制应用中，3SK166A可用于H桥驱动电路，实现对直流电机的速度和方向控制。此外，该器件也适用于电池管理系统中的充放电控制电路，确保电池组的安全运行。由于其良好的热性能和高可靠性，3SK166A也常用于工业自动化设备、UPS系统和电源适配器等领域。