类型：N沟道JFET
　　漏源电压（Vds）：最大25V
　　栅源电压（Vgs）：最大±25V
　　漏极电流（Id）：最大10mA
　　耗散功率（Pd）：最大300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-72（金属罐封装）
　　输入电容（Ciss）：约7pF
　　跨导（Gm）：典型值为2.5mS
　　截止频率（fT）：约25MHz

3SK166-1 的主要特点之一是其优异的低噪声性能，这使其非常适合用于前置放大器和音频信号放大器等对噪声敏感的应用。由于采用JFET结构，该器件具有高输入阻抗，从而减少了对前级电路的负载效应，提高了信号的完整性。
　　该晶体管的栅极控制特性非常线性，适用于模拟信号处理和线性放大电路。此外，3SK166-1 的跨导（Gm）较高，意味着在较小的栅极电压变化下，可以产生较大的漏极电流变化，提高了放大效率。
　　其金属罐封装（TO-72）不仅提供了良好的散热性能，还具有较低的寄生电容和电感，有助于在高频应用中保持良好的性能。这种封装也使得3SK166-1 在高频和低噪声应用中表现优异。
　　3SK166-1 的工作温度范围宽，能够在恶劣环境下稳定工作，适用于工业级和专业级设备。其可靠性高，长期稳定性好，适合用于高要求的音频和测量设备。

3SK166-1 广泛应用于高保真音频放大器、前置放大器、麦克风前置放大器、混音器、音频接口设备、模拟混响电路、吉他效果器、电子乐器（如合成器）以及其他需要低噪声和高线性度的模拟电路设计中。
　　由于其低噪声特性，3SK166-1 也常用于测试和测量设备中的信号调理电路，如频谱分析仪、示波器前端放大器等。它在这些设备中用于放大微弱信号而不引入显著噪声，从而提高测量精度。
　　在音频设备中，3SK166-1 通常被用作输入级的放大元件，以确保信号的高保真度。例如，在高端音频前置放大器和唱机放大器中，它被用于第一级放大，以最大程度地保留原始音质。
　　此外，该器件也可用于低频振荡器、模拟开关和电压控制电路中，作为可变电阻使用。其高输入阻抗和线性控制特性使其在这些应用中表现出色。

2SK170, 2N4393, J201, BF245C