型号：3SK164
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（Vds）：-20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±8V
　　连续漏极电流（Id）：-2.7A（@ Vgs = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-8.1A
　　最大功耗（Pd）：1W（@ Ta=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（@ Vgs = -4.5V）；50mΩ（@ Vgs = -2.5V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：-0.6V ~ -1.0V
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-363（SC-88，6引脚）

3SK164具备多项优异的电气和物理特性，使其在低电压、低功耗的MOSFET应用中表现出色。首先，其P沟道结构允许在高边开关配置中直接使用，无需复杂的电平移位电路，简化了系统设计并降低了整体成本。器件的低阈值电压（典型值为-0.8V）使其能够在低至2.5V甚至更低的逻辑电平下可靠地开启，非常适合现代低压微控制器或处理器直接驱动的应用场景。同时，其在-4.5V栅压下的导通电阻仅为35mΩ，意味着在大电流通过时产生的功率损耗非常小，有助于提高系统能效并减少散热需求。
　　其次，3SK164采用SOT-363六引脚封装，尺寸紧凑，适合高密度PCB布局，尤其适用于空间受限的移动设备。该封装还提供了良好的热性能，能够有效将芯片内部热量传导至PCB，从而在1W的最大功耗下保持稳定运行。此外，器件具有较强的抗静电能力（ESD保护），提高了在实际生产和使用过程中的可靠性。
　　另一个关键特性是其快速的开关速度。由于输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）较小，3SK164能够实现快速的上升和下降时间，适用于高频开关应用，如同步降压转换器或负载开关中的瞬态响应控制。同时，其跨导（Gm）较高，确保了良好的增益特性，增强了对栅极信号的响应能力。
　　最后，3SK164的工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，使其不仅适用于常规消费类电子产品，也能在部分工业环境或汽车电子中稳定运行。综合来看，该器件在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，是许多低功率开关应用的理想选择。

3SK164广泛应用于各类需要高效、小型化P沟道MOSFET的电子系统中。其主要应用场景包括便携式电子设备中的电源管理模块，例如智能手机和平板电脑中的电池供电切换、外设电源控制以及背光驱动电路。在这些应用中，3SK164常被用作负载开关，通过微控制器的GPIO信号控制其导通与关断，从而实现对外部模块（如Wi-Fi模块、摄像头、显示屏等）的电源启停，达到节能目的。
　　此外，该器件也适用于DC-DC转换器中的同步整流电路，尤其是在降压（Buck）拓扑中作为高边开关使用，能够有效降低导通损耗，提升转换效率。在低电压系统（如1.8V、3.3V或5V供电）中，3SK164的低阈值电压和低Rds(on)特性尤为突出，能够在不增加额外驱动电路的情况下实现高效开关控制。
　　另一个重要应用是反向电流保护电路。由于P沟道MOSFET在源极电压高于栅极时会自然关断，3SK164可用于防止电池反接或电源倒灌，保护后级电路安全。这种特性在多电源系统或热插拔设备中尤为重要。
　　此外，3SK164还可用于信号路径的模拟开关、继电器替代、LED驱动控制以及各类低功率电机控制电路中。其小型封装和高集成度也使其成为多通道电源控制方案中的优选器件。总之，凡是需要低电压驱动、高效率、小尺寸P沟道MOSFET的场合，3SK164都能发挥重要作用。

Si3463EDV-T1-GE3
　　FDC6322P