3SK138IX 时间：2025/9/7 12:46:46 阅读：8

3SK138IX 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET，常用于电源管理、开关电路以及高频应用中。该器件采用高密度单元设计，具备较低的导通电阻和优异的热稳定性，使其在高效率电源转换系统中表现出色。3SK138IX 是一款适合中高功率应用场景的功率MOSFET，适用于工业电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：12A
　　导通电阻(Rds(on))：0.25Ω（最大）
　　功率耗散(Pd)：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

3SK138IX 具备多个关键特性，使其在电源管理应用中具有广泛适用性。
　　首先，该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）特性，能够有效降低导通损耗，提高电源转换效率。其最大Rds(on)为0.25Ω，在高电流负载下依然能保持较低的功耗，有助于提升系统的整体能效。
　　其次，该器件支持高达12A的连续漏极电流，适用于中高功率应用。其最大漏源电压为100V，能够在多种电压环境下稳定工作，适用于多种DC-DC转换器和开关电源设计。
　　3SK138IX 还具备良好的热稳定性，采用TO-220封装，具备良好的散热性能，可有效降低温度对器件性能的影响，延长使用寿命。
　　此外，该MOSFET具有较高的栅极绝缘能力，最大栅源电压为±20V，能够在较高的电压条件下安全工作，防止因栅极击穿而导致的器件失效。
　　最后，该器件具备较快的开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小外部电感和电容的尺寸，提高整体系统的紧凑性和效率。

应用

3SK138IX 主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、开关电源、马达驱动电路、负载开关以及电池管理系统中。由于其具备低导通电阻、高电流能力和良好的热稳定性，非常适合用于高效率电源转换系统。在工业控制领域，该器件常用于电源模块、UPS（不间断电源）、LED驱动电源以及太阳能逆变器等应用中。同时，其高频开关特性也使其适用于开关稳压器和功率因数校正（PFC）电路。