时间：2025/9/7 17:41:12
阅读：8
3SK138IX- 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和电机控制等高功率场合。这款MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于各种高效率电源转换系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：900V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：10A
导通电阻（RDS(on)）：0.65Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
3SK138IX- 具备一系列优异的电气和热性能。其高耐压能力（900V VDS）使其适用于高压电源应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和逆变器。该器件的低导通电阻（0.65Ω）有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具有较高的栅极耐压能力（±30V），增强了在高噪声环境下的可靠性。
3SK138IX- 采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够在较高的环境温度下稳定工作。这种封装形式也便于安装在散热片上，以进一步提高热管理能力。此外，该MOSFET的开关速度快，有助于减少开关损耗，提高整体系统的能效。
该器件还具有良好的抗雪崩能力和过载保护功能，能够在异常工作条件下提供更高的可靠性。其设计确保在高温下仍能保持稳定的电气性能，从而延长使用寿命并减少故障率。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和高电压DC-DC转换器等应用的理想选择。
3SK138IX- 常用于高电压和高功率的应用场景，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率开关部分。此外，它也可用于LED照明驱动电路、电池管理系统（BMS）和不间断电源（UPS）系统中。
TK9A50U, 2SK2545, 2SK1530
