3SK136IV 时间：2025/9/7 6:43:14 阅读：13

3SK136IV 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及其他需要高效率功率开关的场合。该器件采用高密度单元设计，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和高可靠性等特点。3SK136IV 通常用于电源管理和功率放大电路中，适用于中高功率应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：40A
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 0.035Ω（在Vgs=10V时）

特性

3SK136IV 具有多个优良的电气特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体效率。其次，该器件具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流可达40A，适合高功率应用。此外，3SK136IV 采用了先进的平面工艺和高密度单元设计，使其在高频开关应用中表现优异，适用于各种电源转换器和马达控制电路。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性和过载能力，能够在较恶劣的工作环境下稳定运行。其封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，方便用户在设计PCB时进行安装和散热处理。此外，3SK136IV 的栅极驱动电压范围较宽，支持+10V至+20V的栅源电压，增强了其在不同应用中的灵活性。
　　值得一提的是，3SK136IV 在设计上优化了开关特性和导通损耗，使其在DC-DC转换器、同步整流器、电源管理系统和逆变器中表现出色。其高可靠性和长寿命也使其成为工业控制、电源设备和消费类电子产品中的理想选择。

应用

3SK136IV MOSFET主要应用于各种电源系统和功率控制电路中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电池充电器、逆变器、电机驱动器以及高效率LED驱动电路。此外，它也常用于同步整流电路以提高电源转换效率。
　　在工业自动化和控制系统中，3SK136IV 可用于驱动继电器、电磁阀、直流马达等负载。其高电流能力和低导通电阻使其在电源管理系统和负载开关应用中表现出色。在消费类电子产品中，如笔记本电脑电源适配器、智能家电和UPS不间断电源系统中也有广泛应用。
　　此外，该器件还可用于高功率音频放大器和开关放大器设计中，提供高效的功率输出，适用于音响系统和工业音频设备。