类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：100mA
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：300V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为15Ω（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOT-23

3SK126-O(TE85L,F) MOSFET具有多项优异的电气特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高整体系统的效率，特别适用于低电压、高电流的应用场景。
　　其次，该器件具备较高的栅极耐压能力，栅极-源极电压（VGS）可达±20V，这在实际应用中提供了更强的抗干扰能力和更高的稳定性。
　　此外，该MOSFET采用沟槽式结构，有效降低了导通电阻，并提升了开关速度，从而减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
　　该器件的漏极-源极击穿电压为300V，使其适用于中高压的电源管理电路，如电源适配器、LED驱动器和电池管理系统。
　　其SOT-23封装形式不仅体积小巧，而且便于表面贴装，适合高密度PCB布局。同时，该封装具有良好的散热性能，能够在较高的工作温度下保持稳定运行。
　　3SK126-O(TE85L,F)的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应了宽温度范围的应用需求，适用于工业级和汽车电子系统。

3SK126-O(TE85L,F) MOSFET主要应用于需要高效率、高频开关的电子设备中。例如，该器件常用于DC-DC转换器中作为主开关或同步整流器，以提高转换效率并减小电路体积。
　　在电源管理领域，该MOSFET适用于电池充电器、电源适配器和负载开关等应用，其低导通电阻和良好的热稳定性确保了系统长时间运行的可靠性。
　　此外，该器件也广泛用于LED驱动电路中，作为恒流控制或开关元件，能够提供稳定的电流输出并减少功耗。
　　在汽车电子系统中，该MOSFET可用于车身控制模块、车载充电系统以及车载娱乐系统的电源管理部分，其宽工作温度范围满足了汽车环境下的苛刻要求。
　　由于其SOT-23封装的紧凑性，该MOSFET也适用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理单元，有助于实现小型化和高效能的设计。

2SK3018-O(TE85L,F), 2SK2822-O, 2SK3020-O