类型：N沟道JFET
　　最大漏极电流（ID）：10mA
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：-25V
　　最大功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-92
　　输入电容（Ciss）：7pF（典型值）
　　跨导（Gm）：3.0mS（典型值）
　　噪声系数（NF）：0.2dB（典型值）

3SK113具备多项优异的电气特性，使其在众多JFET中脱颖而出。首先，其低噪声系数（NF）为0.2dB，使得它在低噪声前置放大器中表现出色，尤其适用于需要高信噪比的应用，如麦克风前置放大器和高保真音频设备。其次，该器件具有较高的输入阻抗，确保了对信号源的最小负载影响，提高了电路的稳定性。
　　此外，3SK113具有良好的线性特性，有助于减少信号失真，提升音频质量。其跨导（Gm）为3.0mS，保证了良好的增益性能，同时具备良好的温度稳定性，可在宽温度范围内保持一致的工作特性。封装采用标准TO-92形式，便于在各类电路中安装和使用，并与其他JFET引脚兼容。
　　由于其优良的性能表现，3SK113常被用于高精度信号放大、模拟开关电路、射频前端电路以及各类音频放大模块中。其设计和制造工艺确保了长期使用的可靠性，是许多模拟电路设计者的首选JFET之一。

3SK113主要应用于高保真音频放大器、麦克风前置放大器、低噪声放大电路、信号处理系统、测量仪器和模拟电子电路中。其高输入阻抗和低噪声特性使其成为音频设备中前置放大器的理想选择。此外，该器件也常用于射频接收器前端、精密测量电路和需要高信号完整性的模拟电路设计中。

2SK113, 2N5457, J201