时间：2025/12/28 20:11:48
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3R600TB-8 是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的功率MOSFET晶体管，广泛用于电源管理和功率转换应用中。这款MOSFET采用TO-220封装，具有低导通电阻、高电流能力和高可靠性等特点，适用于各种开关电源、DC-DC转换器和电机控制电路。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：60A
漏极-源极击穿电压（VDS）：80V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：3.6mΩ（典型值）
封装：TO-220AB
工作温度范围：-55°C 至 175°C
3R600TB-8 MOSFET具备出色的导通性能和开关特性，适用于高效率电源系统。其低导通电阻（RDS(on)）可减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的电流承载能力和热稳定性，能够在高负载条件下可靠运行。内置的快速恢复二极管也提高了在高频开关应用中的性能。
该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能，便于安装在散热片上，适用于各种高功率应用。此外，3R600TB-8 还具有良好的抗雪崩能力和短路耐受性，确保在极端工作条件下的稳定性与可靠性。
该器件符合RoHS环保标准，适用于工业级和汽车级应用，具有较长的使用寿命和优异的长期稳定性。其栅极驱动要求较低，兼容常见的驱动电路设计，适用于多种类型的功率转换系统。
3R600TB-8 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）以及工业自动化和控制系统。此外，该器件也可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具和电源逆变器等应用场景。
IPW60R036C7, FDP6030BL, STP60NF06, IRF3710, SiHH60N80E
