时间：2025/12/28 20:24:56
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3R400TB-8 是一款由 IR（International Rectifier，现为 Infineon Technologies）推出的 N 沟道功率 MOSFET。该器件适用于高电流、高效率的开关应用，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等场景。该 MOSFET 采用 TO-220 封装，具备良好的热性能和导通能力。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：400V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：17A（25°C）
导通电阻（RDS(on)）：0.3Ω @ VGS = 10V
功率耗散（PD）：83W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
3R400TB-8 MOSFET 具备低导通电阻的特性，这有助于降低导通损耗，提高整体效率。其 400V 的漏源电压额定值使其适用于中高压开关应用，如开关电源（SMPS）、逆变器和整流电路。
此外，该器件具备较高的栅极电压容限（±20V），提高了在高噪声环境中的可靠性。TO-220 封装提供了良好的散热性能，适合在高负载条件下工作。
该 MOSFET 的热阻较低，能够在较高温度环境下稳定运行。其开关速度快，适合用于高频应用，同时具备良好的抗雪崩能力，增强了在突发电压条件下的稳定性。
3R400TB-8 主要应用于开关电源（SMPS）、AC-DC 电源适配器、UPS（不间断电源）、DC-DC 转换器、电池充电器、电机驱动和工业自动化控制设备。此外，该器件也可用于照明控制系统和家电中的功率开关部分。
由于其良好的导通特性和耐压能力，3R400TB-8 在光伏逆变器和储能系统中也有一定的应用潜力。在汽车电子中，它可用于车载充电器和电机控制模块等场景。
IRF740、IRF840、STP17N40Z、FQA19N40C
