时间：2025/8/30 18:01:08
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3R230TB-8F是一款由Renesas Electronics生产的功率MOSFET模块，广泛应用于高功率和高频电力电子设备中。该模块设计用于提供高效的功率转换和稳定的性能，适用于如工业电机驱动、电源转换器、UPS系统和电动车充电设备等多种应用场景。3R230TB-8F采用了先进的沟槽栅极技术，具备低导通电阻、高耐压能力和优异的热管理特性，使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。该模块通常以TO-247封装形式提供，便于散热和安装，并具有良好的绝缘性能，以确保在高电压应用中的安全性。
类型：功率MOSFET模块
最大漏极电压（VDSS）：300V
最大漏极电流（ID）：230A
导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.75mΩ
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 175°C
栅极电压范围：±20V
功耗：最大150W
绝缘电压：2500Vrms（1分钟）
3R230TB-8F功率MOSFET模块具有多项先进特性，使其在高性能电力电子系统中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统的能效。此外，模块采用了先进的沟槽栅极结构，提高了开关速度并减少了开关损耗，有助于实现更高的工作频率。该模块具有高耐压能力，最大漏极电压可达300V，适用于多种高功率应用场景。模块还具备出色的热管理能力，能够在高温环境下稳定工作，并减少热失效的风险。TO-247封装提供了良好的散热性能和机械稳定性，便于安装在散热器上，同时具备良好的电气绝缘性能，确保在高压应用中的安全性。3R230TB-8F还具备较强的短路耐受能力，能够在异常工作条件下提供额外的保护。
3R230TB-8F广泛应用于需要高功率密度和高效率的电力电子设备中。典型应用包括工业电机驱动器、不间断电源（UPS）、逆变器、DC-DC转换器、电焊机、电动车充电系统以及可再生能源系统（如太阳能逆变器）等。由于其出色的电气和热性能，该模块特别适用于要求高可靠性和高稳定性的工业和汽车电子系统。此外，在需要快速开关和低导通损耗的应用中，如高频电源转换器和功率因数校正（PFC）电路中，3R230TB-8F也表现出色。
SKM200GB12T4AgBL, FF200R12KE4
