时间：2025/12/28 20:19:35
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3R075TB-8是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高电压和高电流的应用。这种类型的晶体管以其快速开关能力和高效率而著称，适合在电源管理和转换系统中使用。
类型: N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：75A
最大漏极-源极电压（VDS）：600V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为3.0Ω
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
3R075TB-8 MOSFET具有低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗并提高效率。其高电压和大电流的额定值使其适用于高功率应用。此外，这种MOSFET具有良好的热稳定性，可以在高温度环境下可靠工作。它的快速开关特性减少了开关损耗，提高了整体系统效率。TO-220封装提供了良好的散热性能，适合需要高效能和高可靠性的应用场合。
3R075TB-8常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制器、照明系统以及各种工业和消费类电子设备中的功率管理部分。
IXTP75N60B2 | STP75N60WF7 | FQA75N60C
