时间：2025/8/13 9:16:57
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3QL75AO-22是一款由东芝（Toshiba）制造的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，适用于高功率应用。该模块结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性，广泛应用于工业电机驱动、变频器和电源系统中。
类型：IGBT模块
集电极-发射极电压（Vce）：600V
集电极电流（Ic）：75A
工作温度范围：-40°C至+150°C
封装形式：双列直插式（DIP）
短路耐受能力：有
隔离电压：2500Vrms
功耗：2.0kW
3QL75AO-22具有优异的热管理和电流处理能力，能够在高频率下稳定工作。其封装设计确保了良好的散热性能和电气隔离，适用于恶劣的工作环境。该模块具备过载和短路保护能力，提高了系统的可靠性和安全性。此外，该模块的栅极驱动电路设计简化了外围电路，降低了系统设计复杂度。
在性能方面，3QL75AO-22采用先进的芯片技术，提供了较低的导通损耗和开关损耗，从而提高了整体能效。其紧凑的封装设计节省了PCB空间，适用于高密度功率系统。模块的电气特性在宽温度范围内保持稳定，确保系统在各种工作条件下均能正常运行。
该模块广泛应用于工业电机驱动、变频器、不间断电源（UPS）、电焊机和可再生能源系统（如太阳能逆变器）中。
SKM75GB060D, FF75R60RT4_HB11
