3QL60AK 时间：2025/8/13 5:30:18 阅读：12

3QL60AK 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率应用场合，如电源管理、开关电源（SMPS）、逆变器、电机控制等。该器件采用先进的工艺制造，具有较低的导通电阻和高开关效率，能够在高频率下稳定工作，从而提高系统的整体能效。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：11A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.42Ω（最大0.52Ω）
　　功率耗散（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

3QL60AK 采用了先进的沟槽式栅极结构技术，使其具备较低的导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件的高耐压能力（600V）使其适用于高电压输入的电源转换器和工业设备中。
　　此外，3QL60AK 具备良好的热稳定性和过热保护能力，能够在较高温度环境下稳定运行。其封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，适合需要较高功率耗散的应用场景。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，能够支持高频开关操作，从而减小外部滤波元件的尺寸并提升系统响应速度。其栅极驱动电压范围较宽，兼容多种控制电路设计，便于集成到不同的功率系统中。
　　值得一提的是，3QL60AK 在设计上优化了雪崩能量承受能力，增强了器件在高能脉冲环境下的可靠性，使其在如电机驱动和电源浪涌保护等应用中表现出色。

应用

3QL60AK 广泛应用于各类高功率电子设备中，主要包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、UPS（不间断电源）、电机控制电路、工业自动化设备以及家用电器中的功率控制模块。由于其高耐压和低导通电阻的特点，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源系统中。此外，在太阳能逆变器和电动车充电系统中，3QL60AK 也常被用作主开关元件，以实现高效的能量转换与管理。