类型：IGBT模块
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：100V
　　最大集电极电流（IC）：30A
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装类型：双列直插式（DIP）
　　安装方式：通孔安装
　　额定功耗：100W
　　输入电容：2200pF
　　短路耐受能力：5μs

3QL100AO-30具有优异的电气性能和热稳定性，适用于高功率密度设计。其内部集成了多个IGBT芯片和反向并联二极管，可以有效减少外部元件数量，提高系统的可靠性。模块的封装设计优化了散热性能，能够在高温环境下稳定工作。
　　该模块采用了先进的芯片技术和封装工艺，确保了低导通压降和低开关损耗，提高了整体能效。此外，模块内部的热阻较低，有助于快速散热，延长使用寿命。
　　3QL100AO-30还具有良好的短路保护能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。其封装形式为双列直插式（DIP），便于安装和维护。

3QL100AO-30广泛应用于各种高功率电子设备中，如工业电机驱动、电动汽车、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。在工业电机驱动中，该模块能够提供高效的功率转换，确保电机运行的稳定性和可靠性。
　　在电动汽车领域，3QL100AO-30可用于电动机控制器和充电系统，支持快速充电和高效能的电力管理。太阳能逆变器利用该模块可以实现高效的直流-交流转换，提高太阳能系统的整体效率。
　　此外，3QL100AO-30还可用于不间断电源系统，确保在电网故障时能够迅速切换到备用电源，保障关键设备的持续运行。

Toshiba 3QL100AO-30C, Fuji Electric 2MBI30D-120, Infineon FS30R12W1T4_B11