类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：3A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：12A
　　功耗（Pd）：50W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值2.0Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约600pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：约150pF
　　反向恢复时间（trr）：未集成体二极管或极快恢复
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220 / TO-220F

3N90-LC采用先进的沟槽栅极技术，这种结构能够有效降低单位面积下的导通电阻，从而提升器件的整体导电性能并减少能量损耗。在高电压应用中，低Rds(on)意味着更低的导通压降和更小的功率发热，这对于提高电源系统的整体效率至关重要。同时，该器件具备高达900V的漏源击穿电压，使其非常适合工作在离线式AC-DC转换器中，尤其是在全球通用输入电压范围（85VAC~265VAC）下工作的反激拓扑电路中表现出色。其栅源电压额定值达到±30V，提供了足够的驱动安全裕度，避免因栅极过压导致的器件损坏。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性和长期可靠性，得益于其优化的芯片布局和封装材料选择，能够在高温环境下持续运行而不发生性能劣化。器件内部的寄生参数经过精心设计，输入电容和输出电容均保持在合理范围内，有助于减少开关过程中的动态损耗，并降低电磁干扰（EMI）风险。此外，3N90-LC具备一定的抗雪崩能力，可以在突发的电压尖峰或负载突变情况下吸收部分能量，防止立即失效，提升了系统在异常工况下的安全性。
　　在实际应用中，该器件的阈值电压范围设定在2.0V至4.0V之间，确保了与常见PWM控制器的良好匹配性，支持使用标准逻辑电平或专用驱动IC进行有效控制。其TO-220封装形式不仅便于手工焊接和维修，还支持加装散热片以增强散热效果，适用于对成本和性能均有要求的中端电源产品。整体而言，3N90-LC在性价比、电气性能和可靠性方面达到了良好平衡，是中小功率高压开关电源中的常用选择之一。

3N90-LC主要应用于各类需要高压开关功能的电源系统中，特别是在中小功率范围内的离线式开关电源设计中表现突出。它常用于反激式（Flyback）拓扑结构的AC-DC转换器中，作为主开关管承担能量传递的核心角色，适用于手机充电器、笔记本电脑适配器、LED照明驱动电源以及家用电器内置电源模块等消费类电子产品。由于其900V的高耐压能力，能够很好地应对整流后高压直流母线上的电压波动，尤其在输入电压波动较大或存在浪涌的情况下仍能保持稳定工作。
　　在工业控制领域，该器件可用于小型PLC电源、继电器驱动电路或传感器供电模块中，提供高效且可靠的电源转换功能。此外，在DC-DC升压或降压变换器中，当输入电压较高时，3N90-LC也可作为开关元件使用，实现高效的能量转换。其快速的开关响应能力和较低的栅极电荷特性，使得在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗，有助于提升系统整体效率并减小磁性元件体积。
　　在电机控制应用中，3N90-LC可用于驱动小功率直流电机或步进电机的H桥电路中，虽然其电流承载能力有限，但在轻载或间歇工作模式下仍能满足基本需求。此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS）、逆变器前端开关以及各种保护电路中，作为通断控制元件。由于其封装具备电气隔离特性（如TO-220F），特别适合需要将散热部分与PCB地隔离的应用场合，进一步增强了系统的安全性和抗干扰能力。

2N90-LC
　　STP3NK90ZFP
　　FQP9N90C
　　KSE992Y
　　SIHF9N90E