类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源击穿电压（BVDSS）：800V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　连续漏极电流（ID）：500mA（25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：2A
　　最大功耗（PD）：1.25W
　　导通电阻（RDS(on)）：< 7.5Ω @ VGS = 10V
　　栅源电压（VGSS）：±30V
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-92

3N80Z的核心特性之一是其高达800V的漏源击穿电压，使其非常适合用于高压开关电路中，例如离线式开关电源（SMPS）、AC-DC适配器和LED驱动电源等。在此类应用中，器件需要承受来自交流电网整流后的高压直流，因此高耐压能力至关重要。该MOSFET能够在输入电压波动较大的情况下保持稳定运行，有效防止因瞬态过压而导致的击穿故障。此外，其阈值电压范围在2.0V至4.0V之间，允许使用常见的逻辑电平信号进行驱动，兼容微控制器或PWM控制芯片输出，提升了系统集成度。
　　另一个显著特点是其相对较低的导通电阻（RDS(on) < 7.5Ω），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体能效。虽然与大功率MOSFET相比该值偏高，但在TO-92封装的小电流应用场景下已属优良水平。配合仅500mA的连续漏极电流能力，该器件适合用于低功率负载的开关控制，如继电器驱动、小型电磁阀控制或电池充电管理电路中的通断开关。同时，其最大功耗为1.25W，在自然对流散热条件下仍可维持可靠工作，尤其适合空间受限的紧凑型设计。
　　热稳定性方面，3N80Z的工作结温可达+150°C，表明其具备较强的耐热能力，可在高温环境中长期运行。这对于封闭式电源模块或无风扇设计的产品尤为重要。此外，±30V的栅源电压容限提供了良好的抗干扰能力，避免因栅极驱动信号异常造成永久性损伤。器件还具备较快的开关速度，得益于MOSFET固有的电压驱动特性，减少了开关过程中的能量损耗，有利于提升高频工作的效率。然而，由于采用TO-92塑料封装，其热阻较高，长时间满负荷运行可能导致温升过高，因此建议在实际应用中降额使用，并确保足够的通风或敷铜散热。
　　制造工艺上，3N80Z基于成熟的平面型MOSFET技术，具有良好的批次一致性与可靠性。经过严格的老化测试和环境应力筛选，保证了在各种恶劣条件下的使用寿命。其引脚排列符合标准三极管形式，便于手工焊接与自动化生产。总之，3N80Z凭借高耐压、适中导通电阻、良好热性能和经济性，成为中小功率高压开关应用中的理想选择。

3N80Z主要应用于中小功率的开关电源系统中，特别是在反激式（Flyback）拓扑结构的AC-DC转换器中作为主开关管使用。这类电源常见于手机充电器、小家电电源模块、智能插座和物联网设备供电单元中。由于其800V的击穿电压能够覆盖整流后的峰值电压（如220V AC整流后约310V DC，考虑浪涌可达400V以上），因此具备足够的安全裕量。在这些应用中，3N80Z通过脉宽调制（PWM）信号实现快速通断，将直流电压转换为高频脉冲，再经变压器隔离降压和整流滤波后输出稳定低压直流。
　　此外，该器件也常用于DC-DC升压或降压变换电路中，尤其是在输入电压较高但输出功率不大的场景下。例如，在太阳能灯具控制系统、电池供电设备的电压调节模块中，3N80Z可用于控制能量传输路径或实现软启动功能。其高输入阻抗特性使得驱动电路无需提供大电流，可以直接由单片机IO口或逻辑门电路驱动，简化了外围电路设计。
　　在工业控制领域，3N80Z可用于驱动小型继电器、固态继电器（SSR）或电磁阀等负载。当微控制器发出控制信号时，通过光耦隔离后驱动3N80Z导通，从而接通负载电源。这种方案具有响应速度快、无机械磨损、寿命长的优点。同时，由于MOSFET导通时无触点火花，适用于易燃易爆环境下的安全控制。
　　另外，该器件还可用于LED恒流驱动电路中的开关元件，配合电感和反馈控制实现高效的恒流输出。尤其在低成本LED照明产品中，3N80Z以其性价比优势被广泛采用。值得注意的是，在所有应用中都应加入适当的保护措施，如栅极串联电阻抑制振荡、漏源极并联RC吸收电路抑制电压尖峰、以及必要的过温保护机制，以确保长期可靠运行。

2N6764
　　KSP10
　　BUZ101