类型：N沟道
　　漏极电流（ID）：1.5A（最大）
　　漏-源电压（VDS）：60V
　　栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约3.5Ω（典型值）
　　功耗（PD）：400mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

3N77 MOSFET具有多个关键特性，使其适用于各种高要求的应用。首先，其低导通电阻确保了在导通状态下功率损耗最小，从而提高了系统的整体效率。其次，该器件具备高速开关能力，使其在高频应用中表现出色，如开关电源和DC-DC转换器。此外，3N77具有较高的漏-源击穿电压（60V），可承受较大的电压波动，提高了电路的稳定性和可靠性。
　　该器件的栅极驱动要求相对较低，能够在标准逻辑电平下工作，简化了驱动电路的设计。此外，3N77采用标准TO-92或类似的小型封装形式，便于在紧凑的PCB布局中使用。其较高的工作温度范围（-55°C至+150°C）也使其适用于较为恶劣的环境条件。
　　另一个重要特性是其具备良好的热稳定性，能够在较高温度下保持稳定工作，避免因过热而损坏。这使得3N77不仅适用于常温环境，也可用于高温应用，如汽车电子和工业控制系统中。此外，该MOSFET的封装设计有助于有效散热，提高长期工作的可靠性。

3N77广泛应用于多种电子设备中，尤其是在需要高效能开关控制的场合。常见的应用包括小型电源管理系统、DC-DC转换器、电池供电设备、LED驱动电路、继电器或马达驱动器、以及各类嵌入式控制系统。此外，由于其良好的热稳定性和可靠性，3N77也可用于汽车电子、工业自动化设备及家用电器中的电源控制部分。

2N7000, BS170, 2N3904