3N65L-TM3-T 时间：2025/12/27 7:35:38 阅读：16

3N65L-TM3-T是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的高压制程技术设计，适用于高效率开关电源和功率转换应用。该器件封装在小型化的TO-277（SOT-457）封装中，具备优良的热性能与电气性能，适合于空间受限但要求高性能的现代电子设备。其额定电压为650V，能够承受较高的漏源击穿电压，在待机或轻载状态下保持较低功耗，是绿色节能电源的理想选择之一。由于其优化的栅极电荷特性与低导通电阻，3N65L-TM3-T在高频开关环境下表现出色，广泛用于AC-DC转换器、LED照明电源、适配器、充电器以及待机电源电路中。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了多项国际安全与可靠性认证，确保在工业级温度范围内稳定运行。

参数

型号：3N65L-TM3-T
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：650V
　　最大漏极电流（Id）：3A
　　最大功耗（Pd）：43W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值1.8Ω（Vgs=10V），最大值2.2Ω（Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值3.0V，范围2.0V~4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值38pF
　　输出电容（Coss）：典型值14pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值35ns
　　栅极电荷（Qg）：典型值10nC
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-277（SOT-457）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

特性

3N65L-TM3-T具有优异的动态性能与可靠的静态参数，使其成为中高电压功率应用中的优选器件。
　　首先，该MOSFET采用了优化的平面场效应结构设计，实现了650V的高击穿电压与较低的导通电阻之间的良好平衡，有助于降低传导损耗并提升整体能效。其Rds(on)在Vgs=10V时仅为2.2Ω最大值，这对于小体积封装而言是非常出色的性能表现，能够在有限的散热条件下承载相对较大的持续电流。
　　其次，该器件具备较低的栅极电荷（Qg≈10nC），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，从而降低了驱动电路的设计复杂度和功耗，提高了系统的开关效率。同时，其输入电容和输出电容均较小，有助于减少开关过程中的能量损失，特别适用于工作频率在数十kHz至数百kHz范围内的开关电源拓扑，如反激式（Flyback）、正激式（Forward）等。
　　再者，3N65L-TM3-T的阈值电压范围合理（2.0V~4.0V），保证了器件在正常驱动信号下可靠开启的同时，也避免了因噪声干扰导致的误触发问题。该器件支持逻辑电平兼容驱动，可在多种控制IC下稳定工作。
　　另外，TO-277封装不仅节省PCB空间，还提供了良好的散热路径，配合适当的布局设计可实现高效的热管理。该封装支持自动化贴片生产，提升了制造效率与产品一致性。
　　最后，该MOSFET经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）及温度循环试验，确保长期使用下的稳定性与安全性。

应用

3N65L-TM3-T广泛应用于各类中小功率的电力电子系统中，尤其适合对尺寸、效率和可靠性有较高要求的应用场景。
　　在AC-DC开关电源领域，该器件常被用作主开关管或辅助电源开关，常见于手机充电器、笔记本电脑适配器、电视和显示器的内置电源模块中。其高耐压能力使其能够直接连接整流后的高压直流母线，适用于全球通用输入电压范围（85VAC~265VAC）。
　　在LED照明驱动电源中，3N65L-TM3-T可用于隔离式反激变换器拓扑，提供稳定的恒流输出，满足商业和家用LED灯具的高效、长寿命需求。其快速开关特性和低电磁干扰潜力有助于通过EMI认证。
　　此外，该器件也适用于待机电源（Standby Power Supply）设计，在主电源关闭时仍维持部分电路供电，广泛用于智能家居设备、网络路由器、机顶盒等需要低待机功耗的产品中。
　　工业控制领域的小型电源模块、传感器供电单元以及电机驱动中的辅助电源部分也可采用此器件。由于其表面贴装封装，特别适合自动化生产和紧凑型设计，有利于提高产品集成度。