类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：3A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值4.5Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　最大功耗（Pd）：50W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　输入电容（Ciss）：约520pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：约110pF（@Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管或极短
　　封装形式：TO-220/TO-220F

3N65的核心特性之一是其高达650V的漏源击穿电压，这使得它非常适合用于高压开关电源设计，如AC-DC适配器、LED驱动电源和离线式反激变换器等。在这些应用中，器件必须承受来自市电整流后的高压直流母线电压，尤其是在110V或220V交流输入条件下，峰值电压可能超过400V，因此650V的额定电压提供了足够的安全裕量，确保系统在瞬态过压或雷击浪涌情况下仍能可靠运行。此外，该器件具备良好的雪崩耐量能力，能够在电压瞬变期间吸收一定的能量而不损坏，增强了系统的鲁棒性。
　　另一个关键特性是其较低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时典型值为4.5Ω，这一参数直接影响到导通损耗的大小。在中等电流负载下，低Rds(on)有助于减少发热，提高电源转换效率，并降低散热设计难度。同时，3N65具有较快的开关速度，得益于较小的栅极电荷（Qg）和输入电容，这使得它可以在数十kHz至数百kHz的频率范围内高效工作，适用于现代高频率开关电源拓扑，从而减小磁性元件体积，提升功率密度。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性，采用标准TO-220封装，可通过外接散热片有效传导热量，最大功耗可达50W（在理想散热条件下）。其宽泛的工作结温范围（-55℃ ~ +150℃）使其适用于工业级环境下的长期运行。此外，栅源电压额定值为±30V，提供了较强的抗干扰能力和驱动兼容性，可与多种PWM控制器直接接口，无需额外的电平转换电路。总体而言，3N65在高压耐受、导通性能、开关速度和热管理方面实现了良好平衡，是一款适用于中等功率开关应用的理想选择。

3N65常用于各类中等功率的开关模式电源（SMPS）中，作为主开关管使用，例如在反激式（Flyback）、正激式（Forward）和半桥（Half-Bridge）拓扑结构中实现电能的高效转换。它特别适用于20W至150W范围内的AC-DC电源适配器、充电器和LED恒流驱动电源，能够满足高效率、小体积的设计需求。在这些应用中，3N65通过高频开关动作将高压直流电转换为隔离的低压直流输出，同时配合反馈控制环路实现稳定的电压或电流输出。
　　此外，该器件也广泛应用于逆变器系统中，如太阳能微逆变器、UPS不间断电源和便携式电源设备，作为DC-AC转换的核心开关元件。在电机控制领域，3N65可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，实现启停、调速和方向控制功能，尤其适用于对成本敏感但要求一定可靠性的家电产品，如风扇、水泵和电动工具。
　　在工业自动化设备中，3N65还可用于继电器驱动、电磁阀控制和固态继电器（SSR）等功率切换场合，利用其快速响应和长寿命优势替代传统机械继电器，提升系统可靠性。此外，在电子镇流器和冷阴极荧光灯（CCFL）驱动电路中，3N65也能胜任高频振荡和功率放大的任务。由于其封装标准化，易于安装和更换，因此在维修和替换市场中也具有较高的通用性。总之，3N65凭借其高压、中电流和高效率的特性，已成为众多中低端功率电子系统中的主流MOSFET选择之一。

KSE3N65, KSC3N65, FQP3N65, STP3N65, IRFBC3N65