时间：2025/7/23 21:14:47
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3N62K3 是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路和功率放大器等高频率、高效率的电子系统中。该器件具有高耐压、低导通电阻以及快速开关性能等特点，适合用于DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统等应用领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：200V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：10A（在25℃）
导通电阻（Rds(on)）：≤0.62Ω（最大值）
功耗（Pd）：60W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220
3N62K3 MOSFET具备优异的导通和开关性能，其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高系统效率。
该器件采用高稳定性的硅工艺制造，确保在高温和高负载条件下仍能保持稳定工作。
此外，3N62K3的封装设计（TO-220）提供了良好的散热能力，适用于中高功率应用。
其栅极设计具备较高的抗静电能力和稳定性，能够在复杂电磁环境中可靠运行。
该MOSFET还具备快速开关能力，适用于高频开关电源和电机驱动系统，减少了开关损耗并提高了响应速度。
3N62K3 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及家用电器中的功率控制模块。
此外，它还可用于音频放大器、LED驱动电路以及各种需要高效率、高可靠性的电子控制系统中。
IRF630、2N6764、BUZ100、IRF620
