型号：3N60L-TM3-T
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600 V
　　最大漏极电流（ID）：3 A（连续）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：12 A
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　最大功耗（PD）：50 W
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值2.2 Ω（@ VGS = 10 V）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0 ~ 4.0 V（@ ID = 250 μA）
　　输入电容（Ciss）：典型值500 pF（@ VDS = 25 V）
　　输出电容（Coss）：典型值100 pF（@ VDS = 25 V）
　　反向恢复时间（trr）：典型值45 ns
　　栅极电荷（Qg）：典型值30 nC（@ VDS = 480 V）
　　二极管正向电压（VSD）：1.2 V（@ IS = 3 A）
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：TO-252 (D-Pak)
　　安装类型：表面贴装

3N60L-TM3-T具备优异的电气性能和热稳定性，适用于高电压、中等电流的开关应用环境。其600V的最大漏源电压使其能够在离线式开关电源等高压系统中安全可靠地工作，尤其适合反激式或准谐振拓扑结构。器件的导通电阻典型值为2.2Ω，在同类产品中处于较优水平，能够在额定电流下有效降低导通损耗，从而提升整体能效。
　　该MOSFET采用了优化的平面栅极技术，确保了良好的栅极控制能力和稳定的开关行为。其栅极电荷（Qg）仅为30nC左右，显著降低了驱动电路所需的能量，特别适合高频开关应用，如AC-DC适配器、LED驱动电源等。低Qg特性还能减少开关过程中的交叠损耗，进一步改善热管理设计。
　　反向恢复时间（trr）约为45ns，表明其体二极管具有较快的恢复速度，有助于减少在感性负载切换时产生的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高系统稳定性。同时，器件具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持一定的耐受性，增强了实际应用中的鲁棒性。
　　TO-252封装不仅提供了良好的散热路径，还兼容主流SMT贴片工艺，便于大规模自动化生产。该封装形式在PCB上占用空间较小，同时可通过焊盘连接大面积铜箔以增强散热效果，满足功率密度不断提升的设计需求。综合来看，3N60L-TM3-T是一款兼顾性能、可靠性和可制造性的中高压MOSFET器件。

3N60L-TM3-T广泛应用于各类需要高压开关功能的电源系统中。常见用途包括：离线式反激变换器（Flyback Converter），用于小功率AC-DC适配器、充电器和待机电源模块；DC-DC升压或降压转换器，特别是在工业控制设备和嵌入式系统中作为主开关元件；LED照明驱动电源，因其高耐压和良好效率表现而被广泛采用。
　　此外，该器件也适用于电机控制电路，如小型直流电机或步进电机的驱动模块，可在桥式拓扑中作为低端或高端开关使用。由于其具备较高的峰值电流承受能力（12A脉冲电流），在瞬态负载变化较大的场合仍能保持稳定运行。
　　在家用电器领域，如空调、洗衣机、微波炉等内部的辅助电源（Auxiliary Power Supply）中，3N60L-TM3-T常被用作启动和供电的核心开关器件。其宽泛的工作温度范围和可靠的封装设计，使其能够适应复杂多变的电磁和热环境。
　　在工业电源、UPS不间断电源、光伏逆变器的辅助电路中，该MOSFET同样发挥着重要作用。尤其是在待机模式下要求低功耗和高效率的应用场景中，其低栅极驱动需求和较低的静态损耗成为关键优势。总体而言，3N60L-TM3-T是一款通用性强、适用范围广的高压功率MOSFET解决方案。

FQP3N60L, STP3NK60ZFP, KSP3N60LS, SIHP3N60L}