类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：3A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值2.2Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　最大功耗（Pd）：50W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220
　　输入电容（Ciss）：约520pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：约120pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值55ns

3N60K-MK具备优异的高压阻断能力和稳定的开关性能，能够在600V的高电压环境下可靠运行，适用于AC-DC转换器、离线式开关电源等对耐压要求较高的场合。其栅极结构经过优化设计，能够有效降低米勒电容效应，从而减少开关过程中的振荡与损耗，提升系统的整体能效。该器件的阈值电压范围适中，通常在2.0V至4.0V之间，使得它既兼容标准逻辑电平驱动，也能在更高栅压下实现更低的导通电阻，满足不同驱动电路的设计需求。
　　该MOSFET采用了先进的平面工艺技术，确保了器件的一致性和可靠性，在高温、高湿及高电压应力条件下仍能保持长期稳定工作。其较低的输入电容和输出电容有助于减小驱动功率，加快开关速度，尤其适合高频开关应用。同时，器件内部集成了体二极管，具备一定的反向续流能力，可在感性负载切换时提供保护路径，防止电压反冲损坏主控电路。
　　热性能方面，3N60K-MK通过TO-220封装实现了良好的散热能力，允许在自然冷却或加装散热片的情况下长时间承受较高功耗。其最大结温可达150℃，具备较强的环境适应性。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，适用于现代绿色电子产品设计。尽管其导通电阻相对现代超结MOSFET偏高，但在成本敏感型应用中仍具有较高的性价比优势。

3N60K-MK广泛应用于各类中小功率开关电源中，如手机充电器、LED驱动电源、家用电器电源模块等，作为主开关管实现电能的高效转换。在反激式（Flyback）拓扑结构中，该器件常被用作初级侧开关，负责将输入交流电整流后进行高频斩波，以实现电压变换与隔离。此外，它也常见于DC-DC升压或降压变换器中，特别是在需要高压输入的工业控制设备中发挥关键作用。
　　在电机控制领域，3N60K-MK可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为功率开关元件控制电流通断，实现启停与调速功能。由于其具备一定的过载承受能力，适合在轻载或间歇性工作的电机系统中使用。同时，该器件也可用于逆变器电路中，参与直流到交流的转换过程，例如太阳能微逆变器或不间断电源（UPS）系统中的辅助功率级。
　　其他应用还包括电子镇流器、电磁炉功率控制、电池充电管理系统以及各类电源适配器。凭借其成熟的工艺和稳定的性能，3N60K-MK在消费电子、工业自动化、照明控制等多个领域均有广泛应用。对于设计者而言，该器件提供了良好的设计灵活性和足够的安全裕量，便于实现高可靠性电源方案。

FQP3N60K
　　STP3NK60ZFP
　　KSP3N60K
　　2N60K