3N50L-TN3-R 时间：2025/12/27 7:35:35 阅读：11

3N50L-TN3-R是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOT-23封装形式，适用于小尺寸、高效率的电源管理与开关应用。该器件设计用于在低电压和中等电流条件下提供出色的性能，具备较低的导通电阻和栅极电荷，有助于提升系统效率并减少功耗。3N50L-TN3-R通过AEC-Q101汽车级认证，表明其在温度循环、机械冲击、湿度和长期可靠性方面满足严苛的汽车行业标准，适合部署于车载电子系统中。该MOSFET广泛应用于便携式设备、电池管理系统、DC-DC转换器、负载开关以及各类小型电源模块中。由于其小型化封装和优良的热性能，3N50L-TN3-R能够在空间受限的应用中实现高效能表现。此外，该器件具有良好的栅极耐压能力，能够承受一定的过压情况而不损坏，提高了系统的鲁棒性。制造商提供了完整的数据手册和技术支持文档，便于工程师进行电路设计与仿真验证。3N50L-TN3-R采用卷带包装（Tape and Reel），适合自动化贴片生产流程，提升了大规模制造的便利性和一致性。

参数

型号：3N50L-TN3-R
　　制造商：Diodes Incorporated
　　封装类型：SOT-23
　　晶体管极性：N沟道
　　漏源电压Vds：500V
　　连续漏极电流Id @ 25°C：200mA
　　脉冲漏极电流Idm：800mA
　　导通电阻Rds(on)：典型值6.5Ω（@ Vgs=10V）
　　栅源阈值电压Vgs(th)：典型值3.0V（范围2.0V~4.0V）
　　栅极电荷Qg：典型值4.5nC（@ Vds=400V, Id=100mA）
　　输入电容Ciss：典型值29pF（@ Vds=25V）
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　功率耗散Pd：最大1W（@ TA=25°C）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

特性

3N50L-TN3-R具备优异的开关特性和热稳定性，其核心优势之一是高电压耐受能力与低导通电阻的结合，在500V额定电压下仍能保持较低的Rds(on)，这使得它在高压小电流应用场景中表现出色。器件的栅极驱动需求较低，仅需标准逻辑电平即可实现完全导通，兼容多种控制信号源，包括微控制器输出。其快速开关响应减少了开关损耗，尤其适用于高频DC-DC变换器或反激式电源拓扑结构。由于采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，3N50L-TN3-R在单位面积内实现了更高的载流子迁移率，从而提升了整体效率。
　　该器件的SOT-23封装不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，能够在有限空间内有效传导热量。同时，该封装符合RoHS环保要求，并通过了无卤素认证，适应现代绿色电子产品的发展趋势。器件内部结构优化了电场分布，增强了雪崩能量耐受能力，提高了在瞬态过压情况下的生存概率。此外，3N50L-TN3-R具有较低的输入和输出电容，有助于减少高频工作时的寄生振荡风险，提升系统EMI性能。
　　得益于AEC-Q101认证，3N50L-TN3-R可在极端环境温度下稳定运行，适用于汽车引擎舱附近的传感器模块、LED照明驱动或车载充电系统等对可靠性要求极高的场合。其长期批次一致性也确保了在大批量生产中的良率和可维护性。制造商还提供了SPICE模型和热阻参数，便于进行精确的电路仿真和热设计分析，进一步降低开发周期和成本。

应用

3N50L-TN3-R广泛应用于需要高压隔离与小型化设计的电子系统中。常见用途包括离线式AC-DC电源中的启动电路或偏置绕组整流后的开关控制，尤其适用于反激变换器中的同步整流辅助开关。在便携式医疗设备、智能电表和工业传感器中，该器件常被用作负载开关以实现电源路径的通断控制，从而延长电池寿命。其高耐压特性使其可用于光电耦合器驱动电路或继电器驱动接口，提供电气隔离功能。
　　在汽车电子领域，3N50L-TN3-R可用于车身控制模块、车灯调光电路、电动门窗控制单元中的低功率开关节点。此外，在USB供电、Type-C PD协议相关的电源切换电路中，该MOSFET也能胜任电压通路管理任务。由于其具备良好的瞬态响应能力，也可用于脉冲功率系统或定时放电电路中作为高速开关元件。在智能家居设备如无线门铃、安防摄像头等产品中，该器件帮助实现待机模式下的零功耗或低功耗运行。总之，凡是需要在紧凑空间内实现500V级电压控制且电流不超过200mA的应用场景，3N50L-TN3-R都是一个可靠而高效的选择。