类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：3A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：12A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值4.5Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V（@Id=250μA）
　　最大功耗（Pd）：50W（@Tc=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220

3N50K-MK作为一款中高压N沟道MOSFET，在多个关键性能指标上表现出良好的平衡性，特别适合于需要高耐压与可靠开关能力的应用场景。其最大的特性之一是具备500V的漏源击穿电压，这使得它能够在高压环境下稳定工作，例如在离线式开关电源（SMPS）中作为主开关管使用，能够承受来自交流电网整流后的高压直流母线电压。这一高耐压能力不仅提升了系统的安全性，也增强了器件在瞬态过压情况下的鲁棒性。同时，该器件的连续漏极电流可达3A，在适当的散热条件下可长时间运行，满足多数中小功率电源设计的需求。其导通电阻Rds(on)在标准测试条件下（Vgs=10V）典型值为4.5Ω，虽然相较于现代超结MOSFET略高，但在同类传统结构器件中仍属合理水平，能够在导通损耗与成本之间取得良好折衷。
　　另一个重要特性是其快速的开关响应能力。3N50K-MK具有较低的输入电容和输出电容，结合适中的栅极电荷（Qg），使其在高频开关应用中表现良好。这意味着在DC-DC变换器或反激式转换器中，它可以实现较高的开关频率，从而减小磁性元件的体积，提升电源的整体功率密度。此外，该器件的阈值电压范围为2V至4V，确保了在标准逻辑电平驱动下能够有效开启，兼容多种常见的PWM控制器输出信号。在热性能方面，TO-220封装提供了较好的热传导路径，允许通过外接散热片将内部产生的热量有效散发，从而延长器件寿命并提高系统可靠性。
　　3N50K-MK还具备较强的抗雪崩能力，能够在短时过载或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击，这对于防止因电压尖峰导致的器件损坏至关重要。此外，其栅源电压最大可达±30V，提供了较大的驱动电压裕度，降低了因驱动电路波动而造成栅极击穿的风险。综合来看，该器件在电气特性、热稳定性、成本效益和应用灵活性等方面均表现出较强的竞争力，尤其适合用于工业电源、家电控制板、照明驱动和电池充电器等对长期运行稳定性要求较高的场合。

3N50K-MK广泛应用于各类中低功率开关电源系统中，典型用途包括离线式反激转换器、AC-DC适配器、LED恒流驱动电源以及小型UPS不间断电源设备。在这些应用中，该MOSFET常被用作主开关管，负责将高压直流电通过高频斩波方式传递到变压器初级侧，实现能量的高效转换。此外，它也可用于DC-DC升压或降压拓扑结构中，如Boost、Buck和Flyback电路，特别是在输入电压较高且输出功率在30W至100W范围内的设计中表现优异。在工业控制领域，3N50K-MK可用于电机驱动电路中的功率开关，控制小型直流电机或步进电机的启停与调速。由于其具备良好的热稳定性和过压承受能力，该器件也常见于电磁炉、电焊机、空气净化器等家用电器的电源模块中。在太阳能照明系统或便携式储能设备中，3N50K-MK可用于构建MPPT（最大功率点跟踪）电路或逆变前级开关，实现太阳能板输出电能的有效利用。此外，在电池充电管理电路中，该MOSFET可用于实现充电通路的通断控制，防止反向电流流动并提升系统效率。得益于其TO-220封装带来的良好散热性能，即使在密闭空间或高温环境中也能保持稳定运行。总之，3N50K-MK凭借其高耐压、适中电流能力和可靠的封装设计，成为众多中等功率电子系统中不可或缺的核心功率开关元件。