类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：7A（在25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.95Ω
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

3N2258 MOSFET具备多个优良的电气特性，使其在各种功率应用中表现出色。首先，其最大漏源电压为500V，使其适用于高电压操作环境，同时具备较强的耐压能力，确保在恶劣条件下稳定运行。栅源电压允许达到±30V，增强了器件在不同驱动电路中的兼容性。该MOSFET的连续漏极电流为7A，在较高温度下仍能保持良好的性能，适合中高功率应用。
　　此外，3N2258的导通电阻较低，为0.95Ω，这意味着在导通状态下，其功耗相对较小，有助于提高系统效率并减少散热需求。器件的功率耗散能力为50W，支持长时间高负载工作而不易损坏。其快速开关特性也使其适用于高频开关电路，如开关电源（SMPS）和逆变器等，从而提高整体系统的响应速度和效率。

3N2258主要应用于各种高功率电子设备中。在电源管理方面，它常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池充电器，以实现高效的能量转换。在电机控制领域，该MOSFET可用于驱动直流电机或步进电机，实现精确的速度和扭矩控制。此外，3N2258也可用于音频放大器电路，特别是在高功率音响系统中，作为功率输出级的开关元件，提供清晰且低失真的音频输出。在工业自动化和控制系统中，该器件可用于继电器替代、负载开关和固态继电器等应用，提高系统的可靠性和响应速度。

IRF840, 2N6756, FDPF5N50