时间：2025/9/3 4:42:15
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3N216是一款N沟道功率MOSFET，广泛用于各种电子设备中进行功率控制和开关操作。这款晶体管具有高耐压和大电流承载能力，适用于电源管理、电机控制以及开关电源等应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：1A
最大漏源电压（VDS）：400V
最大栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：约1.5Ω（典型值）
功耗（PD）：30W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-92
3N216具有良好的热稳定性和较高的可靠性，适合在恶劣环境中工作。其高耐压特性使其能够在高压电路中稳定运行，而较低的导通电阻则有助于减少功率损耗。此外，该器件具备快速开关能力，适用于高频开关应用。
该MOSFET的封装形式为TO-92，便于安装和散热管理。其设计使其在高电压和高电流条件下仍能保持较低的温升，从而提高了系统的整体效率和稳定性。
在实际应用中，3N216能够提供稳定的漏极电流，并具有较强的抗过载能力。其栅极驱动要求较低，可以与常见的控制电路兼容，简化了设计流程。
3N216主要用于电源开关、电机驱动、LED驱动、继电器控制、电源管理以及各种高电压低电流应用场景。在工业自动化、消费电子和汽车电子等领域中，该器件均能发挥重要作用。
2N6756, 2N6758, IRF820
