类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：20V
　　最大漏极电流（ID）：5A
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.4Ω
　　最大功耗（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-3 或 TO-204AA

3N174具备多个关键特性，使其在功率电子应用中表现优异。首先，它具有较高的击穿电压能力（VDS为100V），能够承受较大的电压应力，适用于多种中高压应用。其次，该器件的栅极驱动需求较低，仅需较小的输入功率即可实现完全导通，提升了系统的整体效率。
　　此外，3N174的导通电阻约为0.4Ω，虽然在现代MOSFET中这一数值较高，但在当时已能满足多数开关应用的需求。该器件的封装形式（如TO-3）提供了良好的散热性能，使其能够在较高的功率水平下稳定运行。
　　在动态性能方面，3N174具备较快的开关速度，适用于中高频开关应用。同时，它具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在较为严苛的环境条件下工作。尽管3N174属于早期MOSFET产品，但在一些传统工业和教育领域仍具应用价值。

3N174主要用于中等功率的开关电路中，例如开关电源（SMPS）中的主开关元件、直流电机驱动器、逆变器以及功率放大器等。它也可用于继电器驱动、电池充电器和照明控制系统等应用中。
　　在开关电源设计中，3N174可用于降压（Buck）、升压（Boost）或反激（Flyback）拓扑结构，作为主开关器件实现高效的能量转换。在电机控制和H桥电路中，该器件可用来驱动直流电机并实现正反转控制。
　　由于其良好的抗过载能力和较高的耐压能力，3N174在工业自动化设备和测试仪器中也常被用作功率开关。此外，在教学实验和原型开发中，该器件因其易于理解和操作而被广泛使用。

IRF540, 2N6756, BUZ11