时间：2025/9/2 19:02:03
阅读：22
3N136 是一款经典的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于开关电源、电机控制、逆变器和功率放大器等应用。该器件采用TO-206AA（TO-39）封装，具备较高的耐压能力和良好的热稳定性，适用于中高功率场合。3N136 是早期的功率MOSFET型号之一，尽管在现代设计中已被一些更先进的器件所取代，但其在一些经典电路和教学中仍然具有重要地位。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：连续8A@TC=25℃
功耗(Pd)：75W
工作温度：-55℃～+150℃
封装：TO-206AA（TO-39）
3N136 具备良好的导通特性和较高的开关速度，适用于多种功率控制场景。其栅极驱动简单，仅需较小的驱动电流即可实现快速开关操作，降低了驱动电路的复杂性。此外，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。
3N136 的耐压能力较强，漏源极间可承受高达100V的电压，适用于中高压应用。其热阻较低，有助于在高功率操作下保持稳定的工作温度，延长器件寿命。
作为一款早期的功率MOSFET，3N136 的主要优势在于其结构简单、易于理解和应用，因此在教学实验、原型设计和低频功率控制中仍然被广泛使用。虽然其性能指标在某些方面不及现代MOSFET（如更高的开关频率、更低的Rds(on)等），但在特定应用中仍具有实用价值。
3N136 常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动电路、逆变器、电池管理系统以及各类功率控制模块。此外，它也被用于音频功率放大器和工业控制设备中的电源开关部分。由于其较高的可靠性和成熟的设计，该器件在工业自动化、家电控制和电子教学等领域中得到了广泛应用。
IRF540, 2N6756, BUZ11
