时间：2025/9/2 22:42:40
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3N134是一款N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于开关电源、电机控制、逆变器和其他高功率电子应用中。该器件采用TO-206AA（TO-39）封装，具有较高的耐压能力和良好的导通性能，适用于中低功率的功率转换和控制电路。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：连续1A，脉冲4A
导通电阻（Rds(on)）：约1.8Ω（典型值）
功耗（Pd）：30W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装：TO-206AA（TO-39）
3N134具有良好的热稳定性和较高的开关速度，适用于高频开关电路。其栅极驱动电压范围较宽，能够兼容常见的逻辑电平驱动电路，如5V或10V控制信号源。该MOSFET具有较低的输入电容，有助于减少开关损耗。
此外，3N134在导通状态下的漏源电阻相对较低，能够在1A电流下保持较低的功耗。其TO-39金属封装结构提供了良好的散热能力，适用于对可靠性要求较高的工业和电源管理应用。
由于其耐压能力较强，3N134常用于DC-DC转换器、LED驱动、电机控制和继电器驱动等场合。同时，该器件在过载和短路保护方面表现良好，适合作为功率开关使用。
3N134主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制电路、LED驱动器、逆变器、继电器驱动电路以及各种低功率电源管理系统。它也适用于需要快速开关和良好热稳定性的电子设备，如电源模块、电池管理系统和工业控制装置。
2N6756, 2N6757, IRF510
