时间：2025/9/3 0:58:51
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3N133是一款经典的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率放大器、开关电源、电机控制和电子负载等电路中。该器件由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）公司推出，具有较高的电压和电流承受能力，适用于中高功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：连续7A（@25℃）
导通电阻(Rds(on))：约0.4Ω（典型值）
最大功耗(Pd)：60W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装形式：TO-205（金属罐封装）
3N133具有良好的导通特性和较低的导通损耗，适用于高效率的功率开关应用。其栅极驱动电压相对较低，便于与常见的驱动电路配合使用。该器件具备较高的击穿电压，能够在较为恶劣的电气环境中稳定工作。
此外，3N133的封装形式为TO-205，具有良好的散热性能，适合长时间高负载工作。该MOSFET的栅极保护设计较为完善，抗干扰能力强，能够在较高频率下工作，适用于DC-DC转换器、功率放大器等多种应用场合。
在使用过程中，3N133需要适当的散热设计，以确保在高电流条件下不会因过热而损坏。同时，其寄生电容相对较小，有助于提高开关速度，降低开关损耗。
3N133常用于开关电源（SMPS）、电机驱动、电子负载、音频功率放大器以及工业控制电路中。由于其具备较高的电压和电流能力，也适用于需要高可靠性的汽车电子系统和功率调节装置。在实验和原型设计中，3N133也被广泛用于测试和验证MOSFET驱动电路和功率转换拓扑。
IRF540N, 2N6756, BUZ11
