时间：2025/9/3 0:01:33
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3N129是一种N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于电源管理和开关应用中。这种类型的晶体管因其高效率和快速开关特性而被广泛应用于电子电路设计中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：1.4A
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：20V
导通电阻：约2.5Ω（最大）
最大功耗：800mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
3N129 MOSFET具有低导通电阻和高开关速度的特性，使其在功率转换和管理应用中表现优异。其设计允许在较高的频率下工作，从而减小了电路中磁性元件的尺寸。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠工作。在电源应用中，3N129可以用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和LED驱动等场景。
该器件的封装形式通常为TO-92或类似的三引脚封装，便于在不同的电路板布局中使用。它的栅极驱动要求相对较低，适用于多种控制电路设计。3N129还具备较高的耐用性和较长的使用寿命，适合在工业控制、消费电子和汽车电子等领域中使用。
3N129主要用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、LED驱动、开关电路和负载开关等应用场景。它适合用于需要高效能和高可靠性的电子系统中，例如工业控制设备、消费电子产品和汽车电子模块。
2N7000, BS170, IRFZ44N
