时间：2025/9/3 16:16:09
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3N117 是一款常见的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛用于开关电源、电机控制和放大电路中。该器件具有较高的耐压能力和较大的电流承载能力，适用于多种功率电子应用。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：5A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约0.25Ω
功耗（PD）：40W
工作温度范围：-55°C至+150°C
3N117 MOSFET具备低导通电阻和高开关速度的特性，使其在功率转换应用中表现出色。其高耐压能力（60V）允许在中等电压环境下工作，例如在电源供应器或DC-DC转换器中使用。此外，该器件具有良好的热稳定性和较高的可靠性，适合在工业控制和电机驱动中使用。3N117还具备较强的抗过载能力，能够在短时间高负载情况下保持稳定工作。由于其简单的驱动需求，该MOSFET在设计中非常容易集成，广泛用于各种开关电路中。
3N117 常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动电路、逆变器、电池管理系统以及各类功率放大器设计中。它也适用于需要较高电流控制能力的工业自动化设备和电源管理模块。
IRFZ44N, 2N6755, FDPF5N60
